當RFID應答器從系統(tǒng)的最小范圍運動到最大范圍時，其功率大致變化三十倍，所以RFID應答器的功率要求可能對設計師提出了一個難于預測的挑戰(zhàn)。盡管UHFRFID應答器可以獲得的典型功率在一百毫瓦數(shù)量級，但該問題并非僅限于功耗。即使是在短距離內，可以對應答器提供足夠的功率卻可能導致電壓過載。應答器還必須工作在從-25℃~+40℃的標稱工作范圍內，以及從-40℃~+65℃基于EPCGen2標準的擴展溫度范圍內。
成本與功率要求極大地影響了對用于生產RFID應答器IC的工藝選擇。正如在先前系列文章中所提到的，肖特基接觸在RFID應答器設計中提供了低開啟電壓、低結電容以及高電流驅動。另外，已經有人致力于采用新的工藝，例如BiCMOS以及藍寶石硅片(SOS)，其提供了極佳的低功耗性能。但每種方法都有其不利的一面。在CMOS工藝中肖特基接觸并非是常規(guī)的，而一般需要后處理步驟。其它工藝諸如BiCMOS和SOS對大多數(shù)RFID應答器應用而言又太貴了。
實現(xiàn)低功耗電路要求的另一個方法是動態(tài)閾值電壓MOSFET(DTMOS)技術。其可以利用體硅CMOS技術實現(xiàn)廉價生產。其全部優(yōu)勢非常適合于開發(fā)下一代UHFRFID應答器，本文將對此作詳細論述。本文將首先介紹DTMOS的基本原理。接下來，DTMOS在數(shù)字、模擬以及射頻領域的實現(xiàn)將被重點說明，這是由于UHFRFID應答器包括了涉及所有這三個領域的電路。最后，將演示滿足EPCGen2指標UHFRFID的DTMOS帶隙參考電路的芯片實現(xiàn)。
DTMOS屬于基本上采用互連的阱和柵的MOS晶體管(圖1)。對于雙阱p襯底CMOS工藝，由于只能單獨控制和生產N阱的這一事實，所以只能采用P型DTMOS，這是因為N型DTMOS的P阱具有到P襯底的共同和低歐姆的通路。然而，N型DTMOS可以在具有深N阱特性的工藝中獲得。DTMOS的操作類似于弱反型MOS的操作，相似于橫向PNP管中的三極管操作。弱反型MOS晶體管的漏電流與橫向PNP的集電極電流(都在飽和區(qū))為：
其中：F=FBJT=VBE。用于三極管，F(xiàn)=FWIM=[(VGS-VT)&TImes;COX/(COX+CdepleTIon)]用于弱反型MOS晶體管。
耗盡層電容的值依賴于耗盡層的寬度，其依次依賴于阱的摻雜特性，以及在硅中源極結附近的電壓降。因此，該因素依賴于所采用的阱-源電壓和通過閾值調制效應所采用的阱-源電壓。
DTMOS可以被看作基極上具有額外柵的橫向雙極PNP管。基于這一觀點，DTMOS的漏電流主要取決于通過源—阱結的電壓，其在VGS與ID之間產生了理想的指數(shù)(類似雙極)關系。由于互連柵—阱的存在，在柵和阱之間存在著內建電壓FGW。由于電容的分配，電壓FGW在柵氧和硅上被再次分配。這意味著硅中的電壓降由于FGW作為勢壘，降低了電壓Fb1，DTMOS的漏電流可以表示為：
由這些推導得出的關鍵結果如下：
1.與硅PN結的1.2V相比，DTMOS器件的帶隙顯然是0.6V;
2.DTMOS器件具有理想的指數(shù)特性[IDaexp(qVGS/kT)];
3.DTMOS器件的橫向電流具有exp(qFb1/kT)因子，其比通常的橫向PNP要大;
4.帶隙電壓具有明顯的溫度依賴性。
采用0.25umDTMOS工藝生產的初步成功設計工作在77K溫度下，使用0.6V電源電壓并將襯底連接到固定的正向偏置電壓。接下來的試驗包括受控柵橫向雙極晶體管(GCLPNP)以及襯底連接到柵端的硅絕緣體(SOI)MOSFET工藝。第一種工藝用于小型的低功耗模擬應用，而第二種工藝是超低功耗CMOS的典型最佳候選技術。
DTMOS技術在其產生的柵—延遲/功耗方面與傳統(tǒng)的CMOS技術相比顯示出驚人的性能優(yōu)勢。DTMOS還在RF電路中顯示出優(yōu)越性能。在傳統(tǒng)的CMOS中，縮小到更小特征尺寸和閾值電壓(VTH)的工藝增加了工作速度。然而，VTH的降低也導致了亞閾值MOSFET行為的下降。靜態(tài)電路中靜態(tài)電流的增加，將VTH限制為0.4V。DTMOS可能可以克服這些約束，特別是工作在具有陡峭的亞閾值特性的極低VDD和低VTH下。對DTMOS，柵輸入電壓正向偏置了襯底，根據著名的體效應公式，VTH將降低：
